[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-15] AlGaN/GaN HEMTsにおけるフェルミレベルピンニングに対するPECエッチングの効果

〇越智 亮太¹、富樫 拓也¹、大澤 由斗¹、堀切 文正²、福原 昇²、赤澤 正道¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター、2.住友化学)

キーワード：GaN、PECエッチング、フェルミレベルピンニング

GaN系トランジスタは、次世代高周波増幅器・パワーデバイスとして期待されている。化合物半導体においてフェルミレベルピンニングはデバイスの性能・信頼性に対する長年の課題であり、GaN系材料もその例外ではない。本研究では、表面フェルミレベルピンニングが生じているAlGaN/GaN HEMT構造試料に対して低損傷なPECエッチングを施し、XPSによる表面分析と電気的特性の評価からその効果を調査した。