[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-17] InAlN/AlN/GaN構造中2DEGにおけるキャリア散乱機構のAlN層厚依存性

〇小森 勇太¹、筒井 一生¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、宮野 清孝²、依田 孝^2,1、水島 一郎^1,2、津久井 雅之² (1.東工大電気電子系、2.ニューフレアテクノロジー)

キーワード：InAlN/GaN系HEMT、HEMT

近年、従来のAlGaN/GaN系HEMT に比べ、InAlN/GaN系HEMTは、高い信頼性および高い2DEG濃度を有することから、高周波デバイスへの応用が期待されている。一方、InAlN/GaN構造では2DEGの移動度が低い問題があったが、界面にAlNスペーサ層を挿入したInAlN/AlN/GaN構造では移動度が増大でき、かつその厚さに1nm程度の最適値があることも知られている。しかし、この機構はまだ充分理解されていない。これまで我々はAlN層厚に依存したキャリア散乱機構を移動度の温度特性から調べてきたが、今回は移動度の2DEG濃度依存性から検討した。