[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17p-A301-16] Improvement of threshold voltage controllability in fabrication of recessed gate GaN HEMTs by introducing etch stop detection layer

〇Kensuke Oishi¹, Hidemasa Takahashi¹, Yuji Ando^1,2, Akio Wakejima³, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS, 3.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:GAD, GaN, HEMT

無線電力伝送のマイクロ波レクテナ用デバイスとして, 我々はノーマリオフAlGaN/GaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノードダイオード(GAD)の開発を行っている. ゲートリセス形成にAlGaN/GaNの選択エッチングを用いることができないため, ウエハ面内でのしきい値電圧の分布(変動)が大きな課題であった. 今回はエッチング停止位置検出層を導入することで, しきい値電圧制御性向上に取り組んだので報告する.