[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17p-A301-18] A Method for Deriving Thermal Time Constants of Power Devices by Obserbing Gate Voltages

〇Masahiro Nomura¹, Tokihiko Mori¹, Takayasu Sakurai¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:power device, thermal time constant, IGBT

パワーデバイスをIoT化し、将来のDaaS（Device as a Service）を指向して、インテリジェント・デジタルゲート・プラットーフォーム（IDG-PF）を開発している。本発表では、将来、ゲートドライバにも搭載可能なゲート電圧のみの観測によるパワーデバイスの熱時定数の導出手法を提案する。