2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月17日(金) 13:00 〜 18:00 A301 (6号館)

加藤 正史(名工大)

13:30 〜 13:45

[17p-A301-3] 超高圧熱処理で活性化したMg注入横型MOSFETのチャネル特性

田中 亮1、高島 信也1、上野 勝典1、近藤 剣1、稲本 拓朗1、江戸 雅晴1、Michal Bockowski2、加地 徹3 (1.富士電機、2.Unipress、3.名大)

キーワード:窒化ガリウム、超高圧、MOSFET

縦型GaN MOSFETの実用化に向けて、イオン注入によるp型層形成の検討が進められている。p型高活性化が実現可能な手法として、1GPa程度と超高圧雰囲気での熱処理(UHPA)が提案されているが、同時に表面劣化が懸念される。そこで今回は、UHPA処理により横型MOSFETを作製し、チャネル特性を評価した結果について報告する。正の強反転しきい値を持つ正常なFET動作が確認出来た。