13:30 〜 13:45 [17p-A301-3] 超高圧熱処理で活性化したMg注入横型MOSFETのチャネル特性 〇田中 亮1、高島 信也1、上野 勝典1、近藤 剣1、稲本 拓朗1、江戸 雅晴1、Michal Bockowski2、加地 徹3 (1.富士電機、2.Unipress、3.名大)