[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-3] 超高圧熱処理で活性化したMg注入横型MOSFETのチャネル特性

〇田中 亮¹、高島 信也¹、上野 勝典¹、近藤 剣¹、稲本 拓朗¹、江戸 雅晴¹、Michal Bockowski²、加地 徹³ (1.富士電機、2.Unipress、3.名大)

キーワード：窒化ガリウム、超高圧、MOSFET

縦型GaN MOSFETの実用化に向けて、イオン注入によるp型層形成の検討が進められている。p型高活性化が実現可能な手法として、1GPa程度と超高圧雰囲気での熱処理(UHPA)が提案されているが、同時に表面劣化が懸念される。そこで今回は、UHPA処理により横型MOSFETを作製し、チャネル特性を評価した結果について報告する。正の強反転しきい値を持つ正常なFET動作が確認出来た。