[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-5] 単結晶AlN基板上への高AlN比Al_0.7Ga_0.3NチャネルHFETの作製

〇川出 智之¹、田中 さくら¹、米谷 宜展¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大工)

キーワード：AlGaN-HFET、単結晶AlN

ウルトラワイドギャップ（UWBG）半導体であるAlGaNは、非常に高い絶縁破壊特性を示す事から次世代パワーデバイスの候補材料として有望である。単結晶AlN基板を用いる事で、より高品質のAlGaNエピタキシャル膜をこれまで以上にAlN比が高い組成域で形成できる。2次元電子ガスを利用するタイプのAlGaNチャネルFETとしては、AlN比50%を超える組成域でデバイス動作が報告された事例は無く、次世代のUWBGデバイスを考える上でこれに取り組む意義は大きい。本研究では、単結晶AlN基板を用いた高AlN比AlGaNチャネルHFET構造のエピタキシャル成長ならびにデバイス試作と特性評価を試みた。