[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17p-A301-9] Pressure effect on diffusion of native defects and Mg impurity in Mg-ion-implanted GaN

〇Emi Kano¹, Koki Kobayashi¹, Ritsuo Otsuki¹, Keita Kataoka², Tetsuo Narita², Kacper Sierakowski³, Michal Bockowski³, Tetsu Kachi¹, Nobuyuki Ikarashi¹ (1.Nagoya Univ., 2.Toyota Central Labs, 3.IHPP PAS)

Keywords:GaN, TEM

Mgイオン注入によるGaNのドーピングにおいて、Mgイオン注入後の熱処理における静水圧が自己欠陥や不純物の拡散に与える影響は、活性化プロセスの物理を理解するうえで必須の知見である。講演では、TEMによる転位ループの観察とSIMSによるMgとHの濃度の測定から、静水圧が自己欠陥とMgの拡散を抑制すること、注入領域のアクセプタ濃度を上昇させることを報告する。