[17p-A307-1~10] 量子コンピューティングデバイス技術の最前線

△ [17p-A307-8] Nbバッファ層を用いた超伝導Ta膜のマイクロ波特性評価

〇浦出 芳郎¹、薬師寺 啓¹、辻本 学¹、山田 隆宏¹、牧瀬 圭正¹、水林 亘¹、猪股 邦宏¹ (1.産総研)

キーワード：超伝導量子ビット、タンタル、ニオブ

超伝導量子ビットの低損失な電極材料として、Taが注目されている。しかし、低損失なα相のTa膜を成長するには数百℃の基板加熱が必要であり、室温成膜では比較的損失の大きいβ相が成長してしまう。本発表では、Nbをバッファ層として用いることで室温でもα-Ta膜が成長することに着目し、その膜の基本物性を調べる。さらに、膜を微細加工して平面マイクロ波共振器を形成し、その特性を約10 mKの極低温で評価した結果を報告する。