[17p-A405-1~14] 3.6 Laser processing (formerly 3.7)

△ [17p-A405-7] Investigation of excimer laser annealing process for room temperature solid phase crystallization of impurity-doped β-Ga₂O₃ thin films for p/n semiconductivity control

〇Takumi Numata¹, Ryoya Kai¹, Tomoaki Oga¹, Satoru Kaneko^1,2, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:Wide-gap semiconductor, inpurity doping, excimer laser annealing

ワイドギャップ半導体の一つであるβ-Ga₂O₃は、パワーデバイスや光学素子など幅広い応用が期待されている。一方で、不純物ドーピングによるp/n半導体の制御には至っていない。我々は、エキシマレーザーアニール（ELA）による室温プロセスに着目し、不純物をドープしたβ-Ga₂O₃の固相結晶化を試みた。XRDの結果から、ELAにより不純物をドープしたβ-Ga₂O₃の固相結晶化を確認した。また、TOF-SIMSの深さ方向の元素分析より、ELAによる不純物の拡散を確認した。