[17p-A405-1~14] 3.6 レーザープロセシング（旧3.7）

△ [17p-A405-7] p/n半導性制御のための不純物ドープβ-Ga₂O₃薄膜の室温固相結晶化に向けたエキシマレーザーアニールプロセスの検討

〇沼田 拓実¹、甲斐 稜也¹、大賀 友瑛¹、金子 智^1,2、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)

キーワード：ワイドギャップ半導体、不純物ドープ、エキシマレーザーアニーリング

ワイドギャップ半導体の一つであるβ-Ga₂O₃は、パワーデバイスや光学素子など幅広い応用が期待されている。一方で、不純物ドーピングによるp/n半導体の制御には至っていない。我々は、エキシマレーザーアニール（ELA）による室温プロセスに着目し、不純物をドープしたβ-Ga₂O₃の固相結晶化を試みた。XRDの結果から、ELAにより不純物をドープしたβ-Ga₂O₃の固相結晶化を確認した。また、TOF-SIMSの深さ方向の元素分析より、ELAによる不純物の拡散を確認した。