[17p-B410-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

[17p-B410-2] 希土類イオン注入したGaNの超高圧熱処理による発光特性および結晶構造の変化

〇伊藤 慎^1,2、佐藤 真一郎²、Michal Bockowski³、出来 真斗⁴、渡邊 浩崇⁵、新田 州吾⁵、本田 善央⁵、天野 浩^4,5、吉田 謙一⁶、南川 英輝⁶、羽倉 尚人¹ (1.東京都市大、2.量研、3.ポーランド科学アカデミー、4.名大VBL、5.名大IMaSS、6.イオンテクノセンター)

キーワード：窒化ガリウム、希土類元素、超高圧熱処理

窒化ガリウム(GaN)中のランタノイドは室温で安定した狭線幅の発光を示すことから、量子通信等に利用できる単一光子源への応用が期待される。本研究では、GaNにネオジムもしくはプラセオジムをイオン注入し、超高圧熱処理法による発光特性の変化を室温フォトルミネッセンス測定によって評価した。また、イオン注入損傷の回復をXRD法およびラマン分光法で評価することで、発光特性とイオン注入損傷の関係を調査した。