[17p-B414-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[17p-B414-13] MONOS SiN膜中キャリア移動度の電界・温度依存性モデリング

〇内藤 慶太郎¹、竹田 裕¹、大倉 孝之¹、下川 淳二¹、津田 宗幸¹、山下 博幸¹、澤 敬一¹、来栖 貴史¹ (1.キオクシア株式会社)

キーワード：TCAD、フラッシュメモリ

MONOS型フラッシュメモリの電気的特性を予測するためには、電荷蓄積層であるSiN膜中の電荷の挙動を把握することが重要である。しかしキャリア輸送において重要なパラメータであるバンド中の移動度に関しては、電界や温度によらない固定値で近似される場合が多かった。そこで、本研究では、モンテカルロ計算を用いてSiN膜中のキャリア移動度について、その電界・温度依存性をモデル化し、フラッシュメモリ特性への影響を調査した。