[17p-B414-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[17p-B414-14] 異方性を有する自立シリコン板における音響フォノン散乱

〇森 伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体、音響フォノン、電子フォノン相互作用

極微細MOSFETにおいて，短チャネル効果を抑制するためには，極薄チャネルの導入が必要となる．極薄チャネルでは，電子状態のみならず，音響フォノンモードも変調を受ける．これまでに，Siを等方的な弾性体と近似した範囲で，変調音響フォノンと電子との相互作用が調べられてきた．しかし，実際は，Si結晶は異方性を有している．そこで，本研究では，Si結晶の異方性が音響フォノン散乱に与える影響について調べた．