[17p-B414-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[17p-B414-4] フッ硝酸Siエッチングプロセスの基板結晶面方位依存性解析

〇大井上 昂志¹、黒木 佳奈¹、平野 智暉¹、西尾 賢哉¹、齋藤 卓¹、奥山 敦¹、萩本 賢哉¹、岩元 勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタ)

キーワード：フッ硝酸

Siウェハバックグラインド後のダメージ層除去にはフッ硝酸Siエッチングプロセスが一般的に用いられている。これまでに、Si(100)基板について、ウェハ面内のエッチング挙動の考察を行ってきた。近年、Si(100)基板以外にSi(111)基板を用いたデバイスが量産化されてきているが、Si(111)基板に対するフッ硝酸Siエッチングの詳細な検討はなされていない。Si(111)基板とSi(100)基板のウェハ面内のエッチング分布を比較し、エッチング挙動の違いについて考察を行った。