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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[17p-B414-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2023年3月17日(金) 13:00 〜 17:00 B414 (2号館)

嵯峨幸一郎(ソニー)、森伸也(阪大)、田中一(阪大)

14:30 〜 14:45

[17p-B414-7] AFM/KFMによる熱酸化SOI基板上に自己組織化形成したSi量子ドットの局所帯電特性評価

〇(D)今井友貴¹、牧原克典¹、山本裕司²、Wen Wei-Chen²、田岡紀之¹、大田晃生¹、宮﨑誠一¹ (1.名大院工、2.IHP)

キーワード：Si、量子ドット、AFM/ケルビンプルーブ法