[17p-D505-1~11] 1.6 Ultrasonics

[17p-D505-2] Analysis of Temperature Characteristic and Thermal Conduction Transient of Leaky Surface Acoustic Waves on LiTaO3/SiC/Si Structure

〇Noriyuki Watanabe¹, Shoji Kakio¹ (1.Univ. of Yamanashi)

Keywords:surface acoustic wave devices, multi layer bonded substrate, silicon carbide

次世代通信システムに用いられるRFフィルタに利用されている弾性波デバイスには高性能化とともにハイパワーへの対応が求められている．弾性表面波(SAW)デバイスでは，近年，高性能化のために圧電基板表面にエネルギーを集中させるため圧電基板の薄板化が注目されており，複層接合基板デバイスが実用化され始めている．本報告ではハイパワー半導体でも注目されているSiCと圧電基板LiTaO₃(LT)薄板との複層接合構造におけるリーキーSAW(LSAW)の共振周波数温度係数がSiO₂を中間層とした従来構造と異なる挙動であることを示した．また熱伝導過渡解析からSiCによる高い放熱性を示した．