[17p-D511-1~15] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[17p-D511-5] Evaluation of Interfacial Thermal Resistance between Low-K Interlayer Dielectric materials and Metal Wiring

〇(M1)Zhi Cao¹, Mao Xu², Tianzhuo Zhan³, Takanobu Watanabe¹ (1.Waseda Univ., 2.Tokyo Tech., 3.Toyo Univ.)

Keywords:thermal boundary resistance, thermal conductivity

配線の細線化による電流密度が増加し、大量に発生するジュール熱による温度上昇で集積回路の動作速度が制限される。配線自体の微細化もさることながら、配線金属と層間絶縁膜の界面熱抵抗が集積回路全体の温度上昇に大きく影響することが、有限要素法シミュレーションで指摘されている。本研究では、界面熱抵抗の小さな層間絶縁膜を探索するため、Si基板上にlow-k絶縁膜材料/金属積層構造を形成し、界面熱抵抗を評価した。