2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

22 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」 » 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[17p-D511-1~15] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2023年3月17日(金) 13:15 〜 17:30 D511 (11号館)

中村 芳明(阪大)、野村 政宏(東大)、畑中 大樹(NTT)

14:15 〜 14:30

[17p-D511-5] 低誘電率層間絶縁膜材料と金属配線の界面熱抵抗の評価

〇(M1)曹 志1、徐 茂2、詹 天卓3、渡邉 孝信1 (1.早大理工、2.東工大、3.東洋大)

キーワード:界面熱抵抗、熱伝導率

配線の細線化による電流密度が増加し、大量に発生するジュール熱による温度上昇で集積回路の動作速度が制限される。配線自体の微細化もさることながら、配線金属と層間絶縁膜の界面熱抵抗が集積回路全体の温度上昇に大きく影響することが、有限要素法シミュレーションで指摘されている。本研究では、界面熱抵抗の小さな層間絶縁膜を探索するため、Si基板上にlow-k絶縁膜材料/金属積層構造を形成し、界面熱抵抗を評価した。