[17p-D511-1~15] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

△ [17p-D511-6] Development of Low Thermal Conductive MSiN (M=Transition Metal Elements) Nitride Film

〇Masaki Adachi¹, Toshiaki Fujita¹ (1.Mitsubishi Materials Corp.)

Keywords:thermal conductivity, nitride, TDTR method

TDTR法(時間領域サーモリフレクタンス法)を用いて、低熱伝導性窒化物スパッタ薄膜の開発を進めた。遷移金属窒化物MN(M＝遷移金属元素)にSiが添加されたMSiNスパッタ膜は、緻密なナノ結晶組織を有し、格子熱伝導率が著しく低減される。MSiN(M=Cr,Mn,W,Mo)半導体、MSiN(M=Ta,Hf)絶縁体において、1.5W/mK未満の極めて低い熱伝導率を見出した。