[17p-D511-1~15] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [17p-D511-6] 低熱伝導性MSiN(M=遷移金属元素)窒化物薄膜の開発

〇安達 真樹¹、藤田 利晃¹ (1.三菱マテリアル)

キーワード：熱伝導、窒化物、TDTR法

TDTR法(時間領域サーモリフレクタンス法)を用いて、低熱伝導性窒化物スパッタ薄膜の開発を進めた。遷移金属窒化物MN(M＝遷移金属元素)にSiが添加されたMSiNスパッタ膜は、緻密なナノ結晶組織を有し、格子熱伝導率が著しく低減される。MSiN(M=Cr,Mn,W,Mo)半導体、MSiN(M=Ta,Hf)絶縁体において、1.5W/mK未満の極めて低い熱伝導率を見出した。