[17p-E302-1~8] ディスプレイの次のキラーアプリをねらえ！酸化物半導体の最前線

[17p-E302-3] 酸化物半導体デバイスにおける原子層堆積技術の最前線

〇生田目 俊秀¹ (1.物材機構)

キーワード：原子層堆積技術、InOx系酸化物半導体、炭素ドープInOxチャネル

薄膜トランジスタ、HfO₂系強誘電体膜を用いたFeFET及びCFETの酸化物半導体デバイスのInO_x系酸化物半導体チャネルにおける原子層堆積技術(ALD)の最新の研究動向について報告する。