[17p-PA02-1~8] 1.3 Novel technologies and interdisciplinary engineering

[17p-PA02-6] XPS analysis of Si mask for KOH etching fabricated by Ar⁺ beam irradiation

〇Mina Sato¹, Mie Tohnishi¹, Akihiro Matsutani¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:XPS, KOH etching, ECR ion shower

FIB装置を用いてGa^＋をSi基板表面に照射した際，アモルファス化によりKOH溶液によるエッチング耐性を示すことが知られているが，広範囲のアモルファス化が困難である．そのためECRプラズマ源からAr^＋ビームを試料に照射すれば，広範囲の微細パターンのアモルファス化が可能になり，KOHエッチング用のエッチングマスクとして機能することを報告した．今回はXPSによりAr^＋照射前後のSi表面の状態について解析した結果を報告する．