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[17p-PA02-6] Ar+ビーム照射により作製したKOHエッチング用SiマスクのXPS解析
キーワード：XPS、KOHエッチング、ＥCRイオンシャワー
FIB装置を用いてGa＋をSi基板表面に照射した際，アモルファス化によりKOH溶液によるエッチング耐性を示すことが知られているが，広範囲のアモルファス化が困難である．そのためECRプラズマ源からAr＋ビームを試料に照射すれば，広範囲の微細パターンのアモルファス化が可能になり，KOHエッチング用のエッチングマスクとして機能することを報告した．今回はXPSによりAr＋照射前後のSi表面の状態について解析した結果を報告する．