[17p-PA05-1~3] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

[17p-PA05-3] チップスケール送信機に向けたSiN/Si集積の結合効率

菅野 凌¹、〇大竹 遼¹、田邉 孝純¹ (1.慶應大理)

キーワード：フォトニック集積回路

フォトニック集積回路の開発により，低コストで大容量な光通信など様々な応用が期待されている．多波長かつ高繰り返しな光源である光周波数コムのチップスケールでの生成は，超並列光通信を実現することが実証されている．このような応用では，微小光共振器の周波数コム生成にシリコンナイトライド（SiN）が用いられることが多いが，変調にシリコン（Si）が必要とされる．これはシリコンナイトライドが添加できないことに起因する．したがって，機能的な光デバイスを構築しようと思えば，これらの材料の異種混載が不可欠となる．これらの異種材料集積には様々な構造があるが，集積とパッケージングの簡便さからエッジカプラを用いた手法にした．