[17p-PA06-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

[17p-PA06-11] 基板近傍に成長空間を制限して作製したHfO₂薄膜のALD成長機構

〇市川 龍斗¹、宝栄 周弥²、内藤 圭吾¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪公大工、2.阪府大院工)

キーワード：Hf系強誘電体、ALD法