[17p-PB01-1~4] 9.1 誘電材料・誘電体

[17p-PB01-2] MgとWを同時添加したAlN薄膜の作製

〇平田 研二¹、豊福 朋也²、山田 浩志^1,2、アンガライニ スリアユ¹、新津 甲大³、上原 雅人^1,2、秋山 守人¹ (1.産総研、2.九大総理工、3.物材機構)

キーワード：圧電体、窒化物、薄膜

本研究グループでは、これまでにMgとWを添加したAlN (MgWAlN) において、ScAlNを超える圧電定数が期待されることを第一原理計算により見出している。本研究では、MgWAlN薄膜の作製と圧電定数の測定によって先行研究の計算結果を検証した。反応性多元同時スパッタリング法により作製したMgWAlN薄膜は、AlNにMgとWが固溶したウルツ鉱相で構成されており圧電応答が確認された。