[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-PB07-11] Effect of discharge pulse length on GaN film crystallization by high-density convergent plasma sputtering device

〇(B)Itsuki Misono¹, Taisei Motomura², Tetsuya Okuyama¹, Masato Uehara², Tatsuo Tabaru², Masaki Kudo³ (1.NIT Kurume College, 2.AIST, 3.Kyushu Univ.)

Keywords:sputtering

これまでの高密度収束プラズマスパッタリング装置を用いた低温成膜では基板温度200℃でも堆積膜の面内方向においてGaN{10-11}の六回対称性を持つようなGaN薄膜の成長が報告されている。本研究では基板温度200℃一定とし、放電パルス照射時間を変化させて成膜を行った。XRDを用いたロッキングカーブ測定を実施したところ、パルス照射時間が短くなるにつれて半値全幅が減少したことから結晶性向上が示唆された。