[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-PB07-2] c面活性層を持つInGaN/GaNナノコラム構造の検討

〇赤坂 康一郎¹、石沢 峻介¹、両角 浩一¹、赤塚 泰斗¹、中川 洋平¹、野田 貴史¹、岸野 克巳² (1.セイコーエプソン(株)、2.上智大ナノテク)

キーワード：ナノコラム、ナノワイヤ、InGaN

MOCVDで成長させたGa極性GaNテンプレートに三角格子状配列の選択膜を作成し、その後RFプラズマ窒素源を用いたMBE法によりGaNナノコラム上にc面のInGaN/GaNの歪調整層、InGaN/GaNのMQWを積層した。成長後のCLより発光のバラツキが確認でき、その要因として立方晶混入に起因する刃状転位の発生を確認した。Ga極性ではc面を拡張することが難しい可能性が示唆され、3次元成長ではN極性面や非極性面を生かす成長が必要と思われる。