[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-PB07-3] Structural stability of semipolar faceted InGaN/GaN active layers on nanocolumns

〇Shunsuke Ishizawa¹, Koichiro Akasaka¹, Morozumi Koichi¹, Akatsuka Yasuto¹, Nakagawa Yohei¹, Takafumi Noda¹, Kishino Katsumi² (1.Seiko Epson Corp., 2.Sophia Univ.)

Keywords:nanocolumn, nanowire, InGaN

ボトムアップ成長によるInGaN系ナノコラムのLED応用は、歪み緩和による結晶欠陥の低減などにより高効率な赤色発光が期待される。RF-MBE法を用いて、半極性面積層のInGaN/GaN MQWを有するナノコラム構造を作製した。断面TEM分析により、ナノコラム内部にIn組成の分布が生じていることがわかった。直径の異なるナノコラムを調べたところ、直径が細い場合に均質化する傾向がみられた。