[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-PB07-2] Study of c-plane InGaN/GaN MQW on nanocolumns

〇Koichiro Akasaka¹, Shunsuke Ishizawa¹, Koichi Morozumi¹, Yasuto Akatsuka¹, Yohei Nakagawa¹, Takafumi Noda¹, Katsumi Kishino² (1.Seiko Epson Corp., 2.Sophia Univ.)

Keywords:nanocolumn, nanowire, InGaN

MOCVDで成長させたGa極性GaNテンプレートに三角格子状配列の選択膜を作成し、その後RFプラズマ窒素源を用いたMBE法によりGaNナノコラム上にc面のInGaN/GaNの歪調整層、InGaN/GaNのMQWを積層した。成長後のCLより発光のバラツキが確認でき、その要因として立方晶混入に起因する刃状転位の発生を確認した。Ga極性ではc面を拡張することが難しい可能性が示唆され、3次元成長ではN極性面や非極性面を生かす成長が必要と思われる。