[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-PB07-7] Energization time dependence of elecrtical properties of anodized n-GaN in two-step wet etching method

〇Gaku Kamio¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:GaN, anodization

GaN系デバイスの低速・低損傷エッチング技術の開発を目的として、n-GaNを陽極酸化後にウェットエッチングする2段階ウェットエッチング法を2019年に提案した。我々は新規材料としてのデバイス応用も念頭に陽極酸化によるn-GaNの電気伝導特性の変化を検討しており、今回、陽極酸化n-GaNの電気伝導特性の通電時間依存性を調べたところ、通電時間に伴い電子濃度、ホール移動度ともに減少することが明らかになった。