[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-PB07-8] Changes in electrical properties in AlGaN/GaN by recessed structure formation

〇Takaaki Kimura¹, Tomohide Takahashi¹, Ryo Tsurumaki¹, Gaku Kamio¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:AlGaN/GaN heterostructure, recessed structure, TLM measurement

AlGaN/GaN構造におけるオーミック電極の2端子デバイスにおいて、電極間中央にリセス長2 ㎛のリセス構造を形成した際の電気的特性変化について調べた。リセス構造全体のチャネル抵抗は、2 ㎛リセス部分のチャネル抵抗とその他の非リセス部分のチャネル抵抗の単純な和にはなっておらず、リセス部分のチャネル抵抗の影響がリセス構造全体のチャネル抵抗により大きな影響を与えているという興味深い結果が得られた。