The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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Poster presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Mar 17, 2023 4:00 PM - 6:00 PM PB07 (Poster)

4:00 PM - 6:00 PM

[17p-PB07-9] Fabrication of needle shape MicroLED array using B ion implantation process

Ayumu Okui1, Shotaro Nishigaki1, Atsushi Nishikawa2, Alexander Loesing2, Hiroto Sekiguchi1 (1.Toyohashi Tech, 2.ALLOS)

Keywords:ion implantation, MicroLED, isolation

神経ネットワークの細やかな制御のためには,5-20 µmのサイズをもつ神経細胞に個別にアクセスすることが求められる.そこでBイオン注入法を用いたGaN層の絶縁化によりマイクロLEDの高密度集積を検討した.まず,Bイオン注入の濃度と電気特性の関係性を調べ,GaN層の絶縁化条件を確認した.そして,この条件を基に針構造上に直径5 µmのマイクロLEDを作製し,5000個以上を発光させることに成功した.