[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-A301-1] [第44回論文奨励賞受賞記念講演] GaN 基板上 GaN-HEMT による高周波増幅器の高効率化

〇熊崎 祐介¹、多木 俊裕¹、小谷 淳二¹、尾崎 史朗¹、美濃浦 優一¹、西森 理人¹、岡本 直哉¹、佐藤 優¹、中村 哲一¹ (1.富士通(株))

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、増幅器

本報告では、極めて高効率なGaN基板上GaN-HEMTのデバイス開発と動作実証を行った。基板に対して結晶成長前にウェットケミカル処理を施すことで、基板/エピ界面のSi不純物を低減することに成功した。Si不純物の低減により寄生損失を抑制し、2.45GHzにおいて効率82.5％と極めて高い値を達成した。これは、同周波数帯で世界最高効率でありGaN-on-GaNの優れたポテンシャルを示す結果であるといえる。