一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
09:00 〜 09:15
〇熊崎 祐介1、多木 俊裕1、小谷 淳二1、尾崎 史朗1、美濃浦 優一1、西森 理人1、岡本 直哉1、佐藤 優1、中村 哲一1 (1.富士通(株))
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09:15 〜 09:30
〇(M1)幾田 大智1、佐藤 翔太1、大森 雅登1 (1.大分大工)
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09:30 〜 09:45
〇近藤 剣1、上野 勝典1、田中 亮1、高島 信也1、江戸 雅晴1、諏訪 智之2 (1.富士電機、2.東北大NICHe)
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09:45 〜 10:00
〇上野 勝典1、近藤 剣1、田中 亮1、高島 信也1、江戸 雅晴1、諏訪 智之2 (1.富士電機（株）、2.東北大NICHe)
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10:00 〜 10:15
〇南條 拓真1、山本 章太郎1、品川 友宏1、綿引 達郎1、古橋 壮之1、西川 和康1、江川 孝志2 (1.三菱電機 先端総研、2.名工大)
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10:15 〜 10:30
〇(M1)稲垣 光希1、岡 徹2,3、田中 成明3、長谷川 一也3、泉 貴富3、伊奈 務3、西尾 剛3、丹羽 隆樹3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田合成)
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10:45 〜 11:00
〇岩田 大暉1、隈部 岳瑠1、渡邉 浩崇2、出来 真斗3、本田 善央2、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大 VBL、4.赤﨑記念研究センター)
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11:00 〜 11:15
〇權 熊1、川崎 晟也1、渡邉 浩崇2、田中 敦之2、本田 善央2、池田 宏隆4、磯 憲司2,4、天野 浩2,3,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大 VBL、4.三菱ケミカル、5.赤﨑記念研究センター)
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11:15 〜 11:30
〇吉屋 佑樹1、星 拓也1、堤 卓也1、杉山 弘樹1、中島 史人1 (1.NTT先端集積デバイス研)
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11:30 〜 11:45
〇川崎 晟也1、隈部 岳瑠1、出来 真斗1,2、渡邉 博崇3、田中 敦之3、本田 善央3、新井 学3、天野 浩2,3 (1.名大院工、2.名大VBL、3.名大未来研)
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11:45 〜 12:00
〇渡邉 智也1、高橋 英匡1、安藤 裕二1,2、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
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12:00 〜 12:15
〇大石 敏之1、加地 大樹1、田渕 田渕1、大塚 友絢2、山口 裕太郎2、新庄 真太郎2、山中 宏治2 (1.佐賀大学、2.三菱電機株式会社)
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12:15 〜 12:30
〇(M1)早川 譲稀1、大野 裕2、永井 康介2、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公大院工、2.東北大学金研)
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