10:15 〜 10:30 △ [18a-A301-6] 縦型GaNトレンチMOSFETのサブバンドギャップ光照射によるしきい値変動 〇(M1)稲垣 光希1、岡 徹2,3、田中 成明3、長谷川 一也3、泉 貴富3、伊奈 務3、西尾 剛3、丹羽 隆樹3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田合成)