[18a-A301-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [18a-A301-6] Threshold Voltage Shift under Sub-Eg-Light Illumination in Vertical GaN Trench MOSFETs

〇(M1)Mitsuki Inagaki¹, Oka Tohru^2,3, Nariaki Tanaka³, Kazuya Hasegawa³, Takatomi Izumi³, Tsutomu Ina³, Go Nishio³, Takaki Niwa³, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ., 3.Toyoda Gosei)

Keywords:Gallium Nitride, MOSFET, Threshold Voltage Shift

縦型GaNトレンチMOSFETは，高耐圧かつ低損失のパワースイッチングデバイスとして期待されているが，その実用化に向けてしきい値電圧(V_TH)変動の制御が重要な課題となる．我々は前回，正のゲートバイアスストレス印加によるV_TH変動について報告したが，そのとき顕微鏡照明の白色LED光照射でもV_THが変動することを見出した．そこで今回は，光照射に焦点を絞り，照射光の波長，強度を変えた結果から変動のメカニズムを検討したので報告する．