[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [18a-A301-6] 縦型GaNトレンチMOSFETのサブバンドギャップ光照射によるしきい値変動

〇(M1)稲垣 光希¹、岡 徹^2,3、田中 成明³、長谷川 一也³、泉 貴富³、伊奈 務³、西尾 剛³、丹羽 隆樹³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田合成)

キーワード：窒化ガリウム、MOSFET、しきい値変動

縦型GaNトレンチMOSFETは，高耐圧かつ低損失のパワースイッチングデバイスとして期待されているが，その実用化に向けてしきい値電圧(V_TH)変動の制御が重要な課題となる．我々は前回，正のゲートバイアスストレス印加によるV_TH変動について報告したが，そのとき顕微鏡照明の白色LED光照射でもV_THが変動することを見出した．そこで今回は，光照射に焦点を絞り，照射光の波長，強度を変えた結果から変動のメカニズムを検討したので報告する．