11:15 〜 11:30 △ [18a-A301-9] 高抵抗CドープGaNバッファ層を有するN極性GaN HEMT 〇吉屋 佑樹1、星 拓也1、堤 卓也1、杉山 弘樹1、中島 史人1 (1.NTT先端集積デバイス研)