[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-A301-13] GaN HEMT on-diamond構造の作製及び特性評価

〇(M1)早川 譲稀¹、大野 裕²、永井 康介²、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪公大院工、2.東北大学金研)

キーワード：半導体

AlGaN/GaN HEMTは高出力・高周波動作時における自己発熱による出力と信頼性の低下が課題となっている。今回、我々はSi上に結晶成長したAlGaN/GaN層を表面活性化接合 (SAB)法を用いて常温でCVDダイヤモンド基板へ転写し、GaN HEMTの作製と電流―電圧特性の評価を行った。