10:45 〜 11:00 △ [18a-A301-7] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの動作電圧低減・高電流密度化 〇岩田 大暉1、隈部 岳瑠1、渡邉 浩崇2、出来 真斗3、本田 善央2、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大 VBL、4.赤﨑記念研究センター)