[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [18a-A301-8] 900V 級縦型 GaN p-n 接合ダイオードにおける貫通転位の有無による 逆方向リーク電流のメカニズム

〇權 熊¹、川崎 晟也¹、渡邉 浩崇²、田中 敦之²、本田 善央²、池田 宏隆⁴、磯 憲司^2,4、天野 浩^2,3,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大 VBL、4.三菱ケミカル、5.赤﨑記念研究センター)

キーワード：低転位密度GaN基板、p-n接合ダイオード、逆方向リーク電流

貫通転位が含まれていないデバイス(a)と貫通転位密度が 7.7×10⁵[cm^-2]のデバイス(b)の逆方向JV 特性の温度依存性についてアレニウスプロットを用いて比較した。300－380 Kの温度範囲では、(a)と(b)のリーク電流の温度依存性は小さい反面、400－480 Kの温度範囲では(a)と(b)のリーク電流が温度上昇に伴い大きく増加した。そのリーク電流の物理的なメカニズムについて説明する。