[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [18a-A301-9] 高抵抗CドープGaNバッファ層を有するN極性GaN HEMT

〇吉屋 佑樹¹、星 拓也¹、堤 卓也¹、杉山 弘樹¹、中島 史人¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：窒化ガリウム、N極性、GaN HEMT