09:30 〜 09:45 [18a-A301-3] GaN MOSFETの界面酸化抑制によるしきい値・移動度特性改善 〇近藤 剣1、上野 勝典1、田中 亮1、高島 信也1、江戸 雅晴1、諏訪 智之2 (1.富士電機、2.東北大NICHe)