[18a-A301-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[18a-A301-13] Fabrication and Characterization of GaN HEMT on-diamond Structure

〇(M1)Yuzuki Hayakawa¹, Yutaka Ohno², Yasuyoshi Nagai², Naoteru Shigekawa¹, Jianbo Liang¹ (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.IMR Tohoku Univ.)

Keywords:semiconductor

AlGaN/GaN HEMTは高出力・高周波動作時における自己発熱による出力と信頼性の低下が課題となっている。今回、我々はSi上に結晶成長したAlGaN/GaN層を表面活性化接合 (SAB)法を用いて常温でCVDダイヤモンド基板へ転写し、GaN HEMTの作製と電流―電圧特性の評価を行った。