[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-A301-5] EID AlGaN/GaN MOS-HEMTのスイッチング動作実証

〇南條 拓真¹、山本 章太郎¹、品川 友宏¹、綿引 達郎¹、古橋 壮之¹、西川 和康¹、江川 孝志² (1.三菱電機　先端総研、2.名工大)

キーワード：HEMT、GaN、EID

完全空乏化したAlGaN/GaNヘテロ界面に2DEGを選択的に誘起できる新規技術を適用したエッチングフリーで作製できるプレーナ型EID-HEMTを作製し、ゲート幅が150mmのマルチフィンガー型の素子にて200V/7Aの安定したスイッチング動作を実証した。