[18a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-B401-4] DCパルススパッタリング法によるGaNの選択成長

〇長谷川 大輔¹、本田 達也¹、上山 智²、高橋 伸明³、三浦 仁嗣³、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.名城大、3.東京エレクトロン)

キーワード：選択成長、窒化ガリウム

GaNナノコラム結晶は下地基板から伝搬する貫通転位をコラム側壁に終端させることで無転位結晶が得られ、InGaN系LEDやレーザの下地層として期待される。ガラスなどの高温に耐性を持たない基板の上にナノコラム結晶を作製するには、軟化点以下の成長温度が必要である。本研究では低温で高品質なエピタキシャル膜を成長可能なDCパルススパッタリング法に着目し、初期検討としてc面GaNテンプレート上Tiマスクを用いたGaNの選択成長を試みた。