[18a-B401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [18a-B401-8] Effect of Hydrogen Partial Pressure on GaN Ultra-High-Speed Growth by OVPE Method

〇Shigeyoshi Usami¹, Ritsuko Higashiyama¹, Masayuki Imanishi¹, Junichi Takino², Tomoaki Sumi², Yoshio Okayama², Masashi Yoshimura³, Masahiko Hata⁴, Msashi Isemura⁵, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.Panasonic Holdings Corp., 3.ILE, Osaka Univ., 4.Itochu Plastics Inc., 5.Sosho-Ohshin Inc.)

Keywords:OVPE method, high growth-rate, Hydrogen partial pressure

酸化物気相成長（OVPE）法によるGaNの超高速成長に向けた成長条件の探索を行った。Ga2O分圧上昇に伴って結晶性の著しい悪化が見られたが、水素分圧を0.8atm以上に上昇させることで結晶性を改善可能であることがわかった。水素分圧0.8atmかつ高Ga2O分圧下においてV族不足が示唆されたため、V/III比を固定して成長を実施したところ、結晶性を維持したまま従来の200µm/hから470µm/hまで成長レートを増大させることに成功した。